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該行指出，美光否定以「4F2」作為未來DRAM微縮路徑，認為經過約二十年研究後，「4F2」並無實質密度優勢，因電容間距而非單元佈局最終決定DRAM密度，且在先進節點面對根本物理限制，故判定3D DRAM才是業界更可行的長遠技術路徑；此觀點與三星電子(005930.KS)及SK海力士(000660.KS)仍研究「4F2」相關方案形成對比。
該行續指，美光認為HBM市場正由標準化產品演進為標準HBM、客製HBM與vHBM並存，未來差異化將更多來自與大型AI客戶共同設計；頻寬而非容量正成為未來HBM架構主要設計驅動，未來系統料結合傳統HBM與vHBM以平衡頻寬、容量與散熱。AI亦帶動「AI-class NAND」需求，美光G11 NAND料較G9密度約高一倍、超過400層，並改善功耗效率，目標2027年下半年量產。美光預期可見未來記憶體供需難達平衡，供應緊張料持續。
該行對SK海力士評級為「高確信跑贏大市」，目標價370萬韓圜；對三星電子及美光評級均為「跑贏大市」，目標價分別為40萬韓圜及1,700美元。(ad/j)~
阿思達克財經新聞
網址: www.aastocks.com
《大行》里昂：記憶體成AI關鍵制約 美光(MU.US)否定「4F2」並押注3D DRAM
2026/10/23 14:42
里昂發表研究報告指，記憶體正成為人工智能系統表現的關鍵制約，並為記憶體帶來多年增長機會；該行引述美光(MU.US)總裁Scott Deboer主持的記憶體技術網上研討會內容指，AI模型在訓練、推理、代理式及實體AI均需要更高記憶體頻寬、容量與功耗效率，令記憶體成為系統能力與每token成本的重要決定因素。該行指出，美光否定以「4F2」作為未來DRAM微縮路徑，認為經過約二十年研究後，「4F2」並無實質密度優勢，因電容間距而非單元佈局最終決定DRAM密度，且在先進節點面對根本物理限制，故判定3D DRAM才是業界更可行的長遠技術路徑；此觀點與三星電子(005930.KS)及SK海力士(000660.KS)仍研究「4F2」相關方案形成對比。
該行續指，美光認為HBM市場正由標準化產品演進為標準HBM、客製HBM與vHBM並存，未來差異化將更多來自與大型AI客戶共同設計；頻寬而非容量正成為未來HBM架構主要設計驅動，未來系統料結合傳統HBM與vHBM以平衡頻寬、容量與散熱。AI亦帶動「AI-class NAND」需求，美光G11 NAND料較G9密度約高一倍、超過400層，並改善功耗效率，目標2027年下半年量產。美光預期可見未來記憶體供需難達平衡，供應緊張料持續。
該行對SK海力士評級為「高確信跑贏大市」，目標價370萬韓圜；對三星電子及美光評級均為「跑贏大市」，目標價分別為40萬韓圜及1,700美元。(ad/j)~
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